專利簡介
本案是一種晶圓及其缺陷的偵測方法，目的在於改善傳統以粒子計數器偵測晶體原生顆粒（COP）缺陷時，僅能偵測晶圓表面及距表面約 0.3 微米深度範圍、無法準確量化晶圓體內缺陷，且偵測前須額外清潔表面以免將附著顆粒誤判為缺陷，導致精度偏低、成本偏高的問題。其方法是將待測晶圓沿直徑方向裂解，於裂解面與裂解樣品主表面的結合處，以紅外線雷射散射層析（LST）方式按照設定的距離間隔逐一測量每個偵測區間的 COP 缺陷密度，當所有偵測區間的缺陷密度均小於或等於設定的密度閾值時，即判定該待測晶圓為無 COP 缺陷的晶圓；其中密度閾值可由多個表面無缺陷的基準晶圓量測所得之缺陷密度平均值與標準差範圍推定。藉由從晶圓內部的裂解面接收散射光，相較於粒子計數器能在更大深度偵測 COP 缺陷、準確量化評估缺陷分布，且因散射光來自晶圓內部而不受表面附著雜質影響，無需額外的表面清潔工序，從而提升偵測精確度並降低偵測成本。
如何取得專利
本案於初審階段收到審查意見通知函，審查委員所指出者均為記載明確性之形式問題，而非進步性核駁，故未引用任何前案。審查意見認為：其一，請求項 8、9 之標的名稱僅記載「一種晶圓」，未敘明係何種晶圓，標的名稱不明確，不符專利法第 26 條第 4 項暨其施行細則第 18 條第 2 項之規定；其二，請求項 2 所載引號內之「紅外線雷射散射層析方式」是否與請求項 1 所記載者為相同技術構件，關係未臻清楚，且請求項 5、6 亦有相同情形，不符專利法第 26 條第 2 項之規定；其三，請求項 5 所載引號內之「待測晶圓」是否與請求項 1 所記載者為相同技術構件，亦有疑義，且請求項 6 同有此情形，同樣不符專利法第 26 條第 2 項之規定。
就標的名稱不明確之問題，答辯時配合修正申請專利範圍，將請求項 8 至 10 中的「晶圓」修改為「檢測無缺陷晶圓」，使標的名稱貼近原請求項之技術內容；同時並將申請名稱、摘要與說明書中的「晶圓及其缺陷的偵測方法」一併修改為「檢測無缺陷晶圓及其缺陷的偵測方法」，使全案名稱前後一致而明確。
就技術構件指涉不清之問題，答辯中以增補「所述」用語的方式釐清各請求項與請求項 1 之對應關係：將請求項 2 中「通過紅外線激光散射層析方式按照設定的距離間隔測量每個檢測區間的晶體原生顆粒 COP 缺陷密度」修改為「通過所述紅外線激光散射層析方式……」，使其明確回指請求項 1 所界定之同一技術構件；並將請求項 5、6 中「所述裂解樣品所在的待測晶圓的中心開始」修改為「所述裂解樣品所在的所述待測晶圓的中心開始」，以明確「待測晶圓」即為請求項 1 所載之同一構件，消除前後記載是否一致之疑義。
經由上述名稱與用語之修正，並逐項說明各請求項與請求項 1 之引用對應關係，答辯中主張本案所請各項發明之記載已符合明確性要求，足以為所屬技術領域者所明瞭。本案經一次審查意見答辯即獲核准公告。
相關文件
上列審查文件檔案均已公開於專利主管機關網站，任何人皆可自行查閱。